spICP-QQQ による半導体プロセス試薬の多元素ナノ粒子分析
1 % TMAH 中の Ag、Fe3O4、Al2O3、Au、SiO2 を含む多元素ナノ粒子の同定および特性解析について取り上げています。この研究では、高感度、低バックグラウンドで、効果的な干渉除去能力を発揮する Agilent 8900 トリプル四重極 ICP-MS（ICP-QQQ）が多元素 spICP-MS モードで使用されました。
集積回路の性能向上やデバイスの歩留まりの改善がますます強く求められるようになっています。これらの要求に応えるためには、製造時にウエハ基板およびデバイス表面上の汚染を抑制することが不可欠です。半導体デバイスはシングルナノメートルスケールにまで微細化しており、バルクケミカル、ウエハ処理槽および洗浄槽中の金属ナノ粒子や溶解金属をモニタリングすることが必須となっています。Agilent ICP-MS システムでは、単一粒子 ICP-MS（sp-ICP-MS）と呼ばれる技術により、粒子を検出し、特性解析すること可能です。高速時間分析（TRA）モードによるデータの取り込みと ICP-MS MassHunter ソフトウェアを組み合わせれば、粒子数、粒子径、粒子径分布、元素組成、および複数元素の溶解元素濃度を 1 回の高速分析で同時に測定できます。さらに、シングルナノ粒子分析ソフトウェアモジュールで提供されるメソッド設定、解析、およびデータ解釈ツールを使用することで、シンプルな粒子分析が実現します。
1 % TMAH 中の Ag、Fe3O4、Al2O3、Au、SiO2 を含む多元素ナノ粒子の同定および特性解析について取り上げています。この研究では、高感度、低バックグラウンドで、効果的な干渉除去能力を発揮する Agilent 8900 トリプル四重極 ICP-MS（ICP-QQQ）が多元素 spICP-MS モードで使用されました。
半導体業界では、高純度溶媒中に低濃度で存在する微粒子をモニタリングするために、優れた感度と低いバックグラウンドを実現する Agilent 8900 ICP-QQQ が使用されています。このアプリケーションノートでは、台湾の Shiny Chemical Industrial 社、Industrial Technology Research Institute、および BASF 社の協力のもと、3 種類の溶媒中の 15 nm Fe ナノ粒子を分析した結果を紹介しています。
この録画ウェビナーでは、3M 社の先端研究スペシャリストである Charlie（Qilin）Chan 博士が、重要な半導体プロセスである限外ろ過と化学機械研磨（CMP）への単一粒子 ICP-MS の活用例を 2 つ紹介します。Chan 博士は、単一粒子 ICP-MS を使用して、限外ろ過膜のナノ粒子リテンション効率を正確に測定し、CMP プロセス前後のセリアナノ粒子の粒子径変化を定量しました。
半導体製造に関連する無機の溶解不純物および異物粒子の測定メソッドが 20 種類以上掲載されたアプリケーション総覧をダウンロードいただけます。 各メソッドについて、機器構成、チューニングパラメータ、サンプル前処理、および標準液の調製の詳細と、代表的な結果をご覧いただけます。分析ガイドとして、無機汚染物質試験プログラムの設定または調整にお役立てください。
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