半導体プロセスケミカル中の微量金属汚染は、歩留まりを低下させ、性能を劣化させ、デバイス故障の原因となります。超純水（UPW）、H2O2、HNO3、H2SO4、HCl、HF のような重要な洗浄試薬は、純度を維持するために超微量分析が必要です。Agilent ICP-MS は、比類のない感度で不純物を検出します。第 4 世代のオクタポールリアクションシステム（ORS4）とロバストなプラズマにより、あらゆる分析対象物とマトリックスにおいて高性能の分析を実現しており、半導体の信頼性と歩留まり低下を防ぎます。さらに、8900 ICP-QQQ の半導体モデルでは、新たなガスフローシステムにより汚染を最小限に抑え、ケイ素および硫黄のバックグラウンドをきわめて厳密にコントロールすることができます。
Agilent 8900 ICP-QQQ を用いて、半導体製造における超純水（UPW）の品質を保証します。この先進的なトリプル四重極 ICP-MS は、ASTM D5127-13、2018 および SEMI F63-0521、2021 規格に適合しており、のシングルおよびサブ ppt の金属汚染分析を実現します。MS/MS モードでは、オプションの m-レンズを使用したホットプラズマにより、26 種類の SEMI の重要元素の干渉が除去され、高マトリクスサンプルでも低マトリクスサンプルでも、正確な汚染管理が可能です
Agilent 8900 ICP-QQQ の MS/MS モードで水素セルガスを用いることにより、スペクトル干渉を効果的に除去できます。これにより、半導体グレードの塩酸、硫酸、イソプロピルアルコール中のわずか 50 nm の二酸化ケイ素（SiO2）ナノ粒子を検出することができます。このメソッドでは、SiO2 ナノ粒子のサイズと濃度を正確に測定することにより、半導体製造プロセスにおける汚染管理に貢献し、デバイスの性能と歩留まりの低下を防ぎます。
このアプリケーションノートでは、Agilent 8900 ICP-QQQ を用いて、ICP-MS では最も分析困難な元素である、リン、硫黄、ケイ素、塩素を分析しています。
MS/MS モードを使用した、K、V、Cr、Ge、As などの分析困難な元素を含む塩酸中の 50 種類の元素のシングル ppt 検出限界での分析。
このアプリケーションノートでは、高純度な濃塩酸 中の金属不純物を測定するための Agilent 7900 ICP-MS の高度な性能と堅牢性を紹介しています。
