水素セルガスによるヒ素とセレンに対する REE2+ のオーバーラップの分離

Pub.No. 5994-4071JAJP

Agilent シングル四重極 ICP-MS によるREE マトリックス中の As と Se の正確な分析

シングル四重極 ICP-MS と He セルガスおよび KED の組み合わせは、大半の一般的な ICP-MS アプリケーションに使用することができます。しかし、サンプルマトリックス元素と成分の組み合わせによっては、He KED メソッドでは分離しにくいスペクトルオーバーラップが発生する可能性があるため、特殊なアプリケーションに対して性能を向上させる必要があります。 今回の実験では、高濃度の REE、Nd、Sm、Gd、および Dy が含まれるサンプル中の As と Se を分析するための代替方法について調査しました。これらのマトリックス元素は、As と Se に対する二価イオン干渉の原因となる場合があります。標準の He モードとハーフマス補正を使用することで、一般的な濃度(最大数 ppb)の REE が含まれるサンプル中の As と Se を正確に分析できます。しかし、H2 セルガスと KED およびハーフマス補正を組み合わせることで、REE2+ の干渉をより大幅に減らし、REE 濃度が最大 ppm レベルであっても As と Se を測定できます。

分野 一般化学(スペシャリティケミカル)材料試験・研究半導体/電子材料
キーワード REE overlaps; As ICP-MS analysis; Se ICP-MS analysis; As interferences; Se interferences 
掲載年月 2021/11
ページ数 6ページ (PDFファイルサイズ 464kB)

アプリケーションノートを見る
(PDF 465KB)