spICP-QQQ による半導体プロセス試薬の多元素ナノ粒子分析

spICP-QQQ による半導体プロセス試薬の多元素ナノ粒子分析

Pub.No. 5994-0987JAJP

【要旨】

スマートフォン、クラウドコンピューティング、自動運転車などの技術の進歩に伴い、半導体製品の需要は高まり続けています。集積回路の性能向上やデバイス歩留まりの向上への要求に応えるには、製造中のウエハ基板およびデバイス表面上の汚染をコントールする必要があります。ナノメートルスケールの特性を持つデバイスにおいては、イオン性金属と同様に金属ナノ粒子のモニタリングが重要な課題です。ICP-MS でサンプル溶液中のナノ粒子を直接測定することが増えており、シングルパーティクル誘導結合プラズマ質量分析法 (spICP-MS) が使用されています。さまざまな半導体サンプルのナノ粒子の特性解析への関心が高まる中、現在業界内でこの手法の評価が行われています。 この資料では、高感度、低バックグラウンド、効率的な干渉除去能力を備える Agilent 8900 トリプル四重極 ICP-MSによる半導体グレードのテトラメチル水酸化アンモニウム中の複数元素のナノ粒子を測定を紹介します。

分野 半導体/電子材料
キーワード Ag、 Fe3O4、 Al2O3、 Au、 SiO2、 nanoparticle; NP; semicon; semiconductor processing; fab; semicon fab; wafer contamination; chip contamination; solvent contamination; tetra methyl ammonium hydroxide; TMAH 
掲載年月 2019/06
ページ数 6ページ (PDFファイルサイズ 1.04MB)

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