Agilent 7500cs ICP-MS によるシリコンウエハ中の微量金属不純物の分析

Agilent 7500cs ICP-MS によるシリコンウエハ中の微量金属不純物の分析

Pub.No. 5988-9529JAJP

【要旨】

Agilent 7500cs ICP-MSを使用して、高濃度シリコン(2000 ppm)中の微量金属不純物を分析しました。従来のICP-MS では、シリコンに起因するスペクトル干渉のため、チタン、ニッケル、銅、亜鉛などの分析が困難でした。7500csICP-MS は、スペクトル干渉の低減に有効なオクタポールリアクションセルを搭載し、従来困難だったこれらの元素についても、その元素の質量数で直接分析することが可能となりました。この分析に関して、SEMI(Semicon-ductorEquipment and Materials International)スタンダードで求められる検出レベルは、0.20 -40ppt です。

分野 半導体/電子材料
キーワード 7500、icp-ms、半導体、シリコン、5988-9529JAJP  
掲載年月 2006/03
ページ数 6ページ (PDFファイルサイズ 1.63MB)

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使用分析装置
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Agilent 7500cs
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分析結果の一例

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2000 ppmシリコン溶液における銅の検量線