半導体関連試料の分析-超高純度硝酸-

半導体関連試料の分析-超高純度硝酸-

Pub.No. TI 15F1D1-005

【要旨】

半導体分野ではデバイスの集積度が高まるにつれ、素子の微細化が進み、超微量の金属汚染による影響が問題となってきます。これに伴い、清浄化の対象も原料のシリコンウェハのみならず、製造プロセスで用いられる水、試薬、部屋の空気など多岐にわってきています。さらに求められる清浄度は、清浄度を測定する装置の限界を超えるレベルとなってきています。たとえば、一般に元素の高感度な分析法としては、プレームレス原子吸光法や蛍光X線法などがありますが、これら従来法の感度では不十分となってきています。この点、ICP-MSは多元素を同時に測定できる超微量分析法として近年急激に発達してきており、半導体分野での要求にも十分に対応できる分析法として導入されてきています。

分野 半導体/電子材料
キーワード 多元素同時測定、超微量分析法、TI 15F1D1-005 
掲載年月 2000/12
ページ数 2ページ (PDFファイルサイズ 152kB)

アプリケーションノートを見る(PDF)

使用分析装置
使用分析装置 イメージ画像
ICP-MS
見積フォームを開く
分析結果の一例

分析結果の一例 イメージ画像

クリックして拡大表示ができます。

超高純度硝酸定性スペクトル

分析結果の一例

分析結果の一例2 イメージ画像

クリックして拡大表示ができます。

有害金属測定用硝酸定性スペクトル