シリコンウェハ(有機)

シリコンウェハ表面分析 - 有機化合物

シリコンウェハ表面に有機化合物による汚染があると絶縁破壊電圧の低下、炭化珪素の形成、酸化の進行と質への影響、
意図していないドーピング、減成・劣化による曇りの形成、および CVD 後の欠陥の発生を引き起こすなどの問題が発生
するため、製造ラインでの汚染の監視と制御が必要です。多くの半導体製造工場で、揮発性および半揮発性の汚染物質
の測定に、加熱脱離ガスクロマトグラフ(TD-GC)と質量検出器(MSD)を組み合わせてたシステムが導入されています。

Agilent Technologies:戦略的なパートナー関係を通じ全面的なソリューションを提供 

Markes 社とのパートナー関係により、Agilent は、ウェハ表面やその他の半導体のコンポーネントから発生する揮発性
および半揮発性および半揮発性の汚染物質を測定する、 加熱脱離法 のソリューションを提供します。

 

加熱脱着装置(TD)

Markes 社は分析用 加熱脱着機器および関連サンプリング装置のパイオニアで、10 年以上にわたって
TD の改良と製品化に取り組んでいます。SecureTD-QTM (再分析を容易にする全スプリットフローの
定量的な再捕集) 、独自の高速トラップ加熱機能を備えた電子冷却吸着剤トラッピングなどの特徴を兼ね
備えた、アジレント GC/MS にフィットしたTDシステムです。

アプリケーションノート:MARKES TD(加熱脱着装置)によるクリーンルーム汚染物質の分析