シリコンウェハ表面分析 - 有機化合物
シリコンウェハ表面に有機化合物による汚染があると絶縁破壊電圧の低下、炭化珪素の形成、酸化の進行と質への影響、 意図していないドーピング、減成・劣化による曇りの形成、および CVD 後の欠陥の発生を引き起こすなどの問題が発生 するため、製造ラインでの汚染の監視と制御が必要です。多くの半導体製造工場で、揮発性および半揮発性の汚染物質 の測定に、加熱脱離ガスクロマトグラフ(TD-GC)と質量検出器(MSD)を組み合わせてたシステムが導入されています。
Agilent Technologies:戦略的なパートナー関係を通じ全面的なソリューションを提供
Markes 社とのパートナー関係により、Agilent は、ウェハ表面やその他の半導体のコンポーネントから発生する揮発性 および半揮発性および半揮発性の汚染物質を測定する、 加熱脱離法 のソリューションを提供します。
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