半導体分析

シリコンウェハ表面の微量金属分析

現在、半導体業界では、処理速度の高速化、小型化、高集積化、および歩留りの改善と不具合の低減による製造コストの削減を実現する半導体デバイスの製造が求められています。これらを達成するため、シリコンウェハ表面における微量金属汚染の特性を評価する必要性が出てきました。実際、現在のところ、半導体 IC の製造における生産ロスの 50% 以上は汚染によるものです。

Agilent Technologies のウェハ表面分析における豊富な経験
主要な半導体メーカの多くは、SME-ICP-MSをはじめとした表面汚染濃度測定に関する技術を使用して、シリコンウェハ上の自然酸化膜と熱酸化膜の純度を評価しています。困難を伴うこの分野における Agilent の専門性が評価され、この種の分析用に Agilent ICP-MS システムが広く認められるようになりました。この分析では、半導体製造のほぼすべてのプロセスで、金属汚染の種類、汚染源、汚染度に関する貴重なデータを得ることができます。

 

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